买卖IC网 >> 产品目录 >> CFY25-23 (P) 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

CFY25-23 (P)

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
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制造商 Infineon Technologies
技术类型 MESFET
频率 12 GHz
增益 8.7 dB
噪声系数 2.2 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 40 mS
漏源电压 VDS 5 V
闸/源击穿电压 - 5 V to 0.5 V
漏极连续电流 80 mA
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 250 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Micro-X
相关资料
属性
链接
代理商 CFY25-23 (P)
CFY25-23(P)
CFY35-23
CFY67-08(P)
CG
CG02733AC2
供应商
公司名
电话
深圳市腾宇创科电子有限公司 13410391243 陈志凡
深圳市深科创科技有限公司 0755-83247290 吴先生/吴小姐/朱先生
上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 林生18701789587
深圳市逸睿信息科技有限公司 0755-82899329 微信同号18902486285
深圳市华诺星科技有限公司 18998919871 廖小姐
  • CFY25-23 (P) 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价